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1.薄膜/箔結(jié)構(gòu)

薄膜/箔結(jié)構(gòu)主要用于電容較小的電容器（100pF~0.1μF），這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是金屬箔電極容易接觸，脈沖強度好。
此類電容器的介質(zhì)膜擊穿會導(dǎo)致短路，從而故障。

為了避免電介質(zhì)中的薄弱點造成的擊穿，所選的絕緣膜總是比根據(jù)材料的特定擊穿強度確定的值理論上所要求的厚度要厚。小于4μm的薄膜不用于此類電容器，因為其薄弱點比例較高。

絕緣膜越厚，對尺寸和材料的使用都有不利的影響。為了獲取特定容量，用較厚的絕緣膜，薄膜的長度也必須做出量的增加。因此，絕緣膜越厚，繞組元件的體積就越大。
當薄膜的上下表面出現(xiàn)凹陷時，就會出現(xiàn)一個薄弱點。電介質(zhì)的厚度必須足以達到所需的擊穿強度。

優(yōu)點：由于焊接導(dǎo)線與金屬箔電極接觸良好，因此具有較高的脈沖負載能力。

2.金屬化結(jié)構(gòu)

金屬化類型的結(jié)構(gòu)，也使得可以制造出更小尺寸的大容值電容器(0.01μF~100μFandlarger)，對于金屬化電容器，絕緣膜上真空鍍鋁（~0.03μm）作為導(dǎo)電電極，在擊穿的情況下，短路電流會導(dǎo)致金屬涂層在故障點周圍蒸發(fā)，而不會降低電介質(zhì)的質(zhì)量，形成絕緣區(qū)域，電容器保持完好（自愈）。由此引起的幾個pF的電容損失并不重要。采用金屬化電容器，可充分利用絕緣膜的擊穿強度。在電容器的生產(chǎn)過程中，薄弱環(huán)節(jié)被治愈了。這使得使用厚度小于1μm的最超薄絕緣膜成為可能。與金屬化電容器的小尺寸和自愈特性的優(yōu)點相比，由于較薄的真空鍍膜金屬層，存在有限的電流負載能力的缺點。

優(yōu)點：金屬化結(jié)構(gòu)具有最有利的容量/體積值。

3.脈沖應(yīng)用的金屬化結(jié)構(gòu)

額定（直流）電壓:250Vdc、400Vdc

額定(交流)電壓:630Vdc、1000Vdc、1600Vdc、2000Vdc

為了克服單面金屬化電容器電流負載能力有限的缺點，威迪為高脈沖應(yīng)用開發(fā)了特殊的金屬化版本，其中介質(zhì)膜上不直接蒸鍍(金屬化)電極，而塑料薄膜的兩面被真空蒸鍍上鋁，該雙面金屬膜與絕緣膜(介質(zhì)膜)共同卷起，就像薄膜/金屬箔電容器一樣。

通過噴涂金屬並形成接觸，將載體膜上的兩個金屬層作為導(dǎo)體連接在一起。因此，載體膜處于無磁場空間，其介電性能不重要（無磁場空間中的膜），并且故障的自愈過程發(fā)生在該雙面膜上。由于兩面都有金屬化，這種類型的電容器具有與單面金屬化電容器相同的良好自愈性能，雙面金屬化還有更好的導(dǎo)電能力和接觸性的優(yōu)勢。

這些電容器能夠承受非常高的脈沖電流，并且只比單面金屬化電容器的體積稍大。

它們在關(guān)鍵應(yīng)用中具有很高的操作安全性。

優(yōu)勢：
高脈沖負載能力，由于良好的雙面金屬層與噴金層的接觸。

良好的自愈性能，得益于載體膜處于無磁場空間。

4.帶金屬化電極載體的薄膜/箔結(jié)構(gòu)

由于其帶金屬化電極載體薄膜/箔結(jié)構(gòu)，這種電容器類型適合于最高電流負載。電容器為串聯(lián)結(jié)構(gòu)，載流電極由兩個金屬箔和一個作為“浮動電極”的金屬化載膜組成。

在絕緣和粘合之后，導(dǎo)線與繞組元件的所有邊緣連接。浮動電極僅通過電容耦合傳輸電流。通過這種方式，自愈合的優(yōu)點（通過金屬化浮動電極）與金屬箔異常安全結(jié)合的優(yōu)點結(jié)合在一起。由于串聯(lián)，電暈起始電壓的值增加了一倍。

以這種方式構(gòu)造的電容器適用于具有最大運行安全性的非常高的額定電流。

優(yōu)勢：

由于良好的結(jié)合（金屬箔電極和金屬化電極載體膜），因此具有最高的脈沖負載能力。

金屬化載體膜浮動電極具有良好的自愈合性能。

由于串聯(lián)，電暈起始電壓值增加了一倍。

5.金屬化電容器的自愈過程
即使是最好的塑料薄膜，如陶瓷材料，也不是沒有針孔的。然而，對于金屬化薄膜電容器，可以通過施加比額定電壓高得多的電壓來消除這些故障。這個過程被稱為自愈，實際上使“零缺陷電介質(zhì)”成為可能。

圖1:自愈過程的示意圖、圖2:自愈過程后的絕緣區(qū)域自愈過程是由電擊穿開始的，大約需要10-8秒。在擊穿通道中，電介質(zhì)被轉(zhuǎn)變成一個高度壓縮的等離子體，該等離子體被推出通道并將電介質(zhì)層壓開（如圖1）。

在擴散的等離子體中，放電繼續(xù)在金屬電極上進行。溫度約為6000K，在原始故障點周圍形成絕緣區(qū)域（如圖2）。這種自愈過程需要幾微秒，在更大的電壓損失發(fā)生之前，等離子體中的放電已經(jīng)停止。這種等離子體的快速熄滅是必要的，以避免進一步損壞靠近故障點附近的電介質(zhì)層。

各層之間的壓力不能太大，這樣等離子體就可以從擊穿通道迅速擴散出去。大部分等離子體進入低場強區(qū)域。

自愈過程的完美過程取決于金屬鍍層的厚度、化學(xué)成分和施加電壓的速率；這里，除了化學(xué)成分外，生產(chǎn)條件還必須為最佳自愈提供先決條件。

自愈行為作為質(zhì)量標準。